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功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（功率MOSFET，常簡寫為功率MOS）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以及功率集成電路（power IC，常簡寫為PIC）為主。這些器件或集成電路能在很···
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硅功率MOSFET器件具有理想的柵極電阻、高速的開關性能、低導通電阻和高穩定性。在300V以下的功率器件領域，是首選的器件。有文獻報道已成功研制出阻斷電壓10 kV的SiC MOSFET。研究人員認為，碳化硅MOSFET器件在3kV～5 kV領域將占據優勢地位。盡管遇到了不少困難，具有較大的電壓電流能力的碳化硅MOSFET器件的研發還是取得了顯著進展。
硅功率MOSFET器件具有理想的柵極電阻、高速的開關性能、低導通電阻和高穩定性。在300V以下的功率器件領域，是首選的器件。有文獻報道已成功研制出阻斷電壓10 kV的SiC MOSFET。研究人員認為，碳化硅MOSFET器件在3kV～5 kV領域將占據優勢地位。盡管遇到了不少困難，具有較大的電壓電流能力的碳化硅MOSFET器件的研發還是取得了顯著進展。
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碳化硅功率二極管有三種類型：肖特基二極管（SBD）、PiN二極管和結勢壘控制肖特基二極管（JBS）。由于存在肖特基勢壘，SBD具有較低的結勢壘高度。因此，SBD具有低正向電壓的優勢。SiC SBD的出現將SBD的應用范圍從250 V提高到了1200 V。同時，其高溫特性好，從室溫到由管殼限定的175℃，反向漏電流幾乎沒有增加。在3 kV以上的整流器應用領域，SiC PiN和SiC JBS二極管由于比Si整流器具有更高的擊穿電壓、更快的開關速度以及更小的體積和更輕的重量而備受關注。
碳化硅功率二極管有三種類型：肖特基二極管（SBD）、PiN二極管和結勢壘控制肖特基二極管（JBS）。由于存在肖特基勢壘，SBD具有較低的結勢壘高度。因此，SBD具有低正向電壓的優勢。SiC SBD的出現將SBD的應用范圍從250 V提高到了1200 V。同時，其高溫特性好，從室溫到由管殼限定的175℃，反向漏電流幾乎沒有增加。在3 kV以上的整流器應用領域，SiC PiN和SiC JBS二極管由于比Si整流器具有更高的擊穿電壓、更快的開關速度以及更小的體積和更輕的重量而備受關注。
